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工学
無機材料・物性
| キーワード | 研究者名 | 研究情報 |
|---|---|---|
| 半導体、表面科学、ダイヤモンド、グラフェン | 德田 規夫 |
研究課題
・シリコン及びカーボン系低次元ナノ構造物の作製と機能の創出 ・ダイヤモンドの結晶成長、ドーピング・表面制御
出願済みの発明名称
・半導体装置 (公開年月：2015/06/08) ・ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法 (公開年月：2015/06/22) ・ダイヤモンド基板及びその製造方法 (公開年月：2015/07/02) ・ナノメートルスケールの計測標準試料およびナノメートルスケールの計測標準試料を用いた走査型顕微鏡の校正方法(特許番号：特許第5071815号) ・ダイヤモンド半導体素子(特許番号：特許第5119553号) ・ダイヤモンド薄膜積層体(特許番号：特許第5152836号) ・ダイヤモンド表面上の原子的平坦面の選択的形成方法、そのダイヤモンド基板及びこれを用いた半導体素子(特許番号：4446065) ・半導体装置(特許番号：特許第5565895号) ・高効率間接遷移型半導体紫外線発光素子(特許番号：特許第5273635号) ・単結晶ダイヤモンド基板(特許番号：特許第5454867号) ・単結晶ダイヤモンド成長用の基材及び単結晶ダイヤモンドの製造方法(特許番号：特許第5545567号) ・グラフェン・ダイヤモンド積層体(特許番号：特許第5681959号) ・ダイヤモンド基板(特許番号：特許第5887742号) ・ダイヤモンドの表面処理方法(特許番号：特許第5948578号) ・ダイヤモンドの製造方法(公開年月：2016/12/22)
科研費採択テーマ
・原子的に平坦なダイヤモンド（１１１）表面の大面積形成及びその機能の創出 ・超低損失ダイヤモンドパワーデバイス開発のための基盤研究 ・インチスケールダイヤモンドウェハ開発のための基盤研究 ・低損失縦型ダイヤモンドパワーMOSFET ・ダイヤモンドを用いた革新的アンモニア合成法の開発 ・ダイヤモンド表面核スピン格子を用いた室温量子シミュレータの基盤構築
産学連携・技術移転事業の採択テーマ
・半導体ダイヤモンドの開発 |
| 吉川 太朗 |