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研究者情報

データ更新日:2017年05月23日

猪熊 孝夫 (いのくま たかお) 教授 INOKUMA, Takao

メール

所属組織・役職等

理工研究域 電子情報学系

教育分野

【学士課程】
理工学域 電子情報学類
【大学院前期課程】
自然科学研究科 電子情報科学専攻
【大学院後期課程】
自然科学研究科 電子情報科学専攻

所属研究室等

薄膜電子工学研究室 TEL:076-234-4882 FAX:076-234-4870

学歴

【出身大学院】
筑波大学 博士課程 工学研究科 物理工学専攻 1991/03 修了
【出身大学】
筑波大学 第三学群 基礎工学類・変換工学主専攻 1986/03 卒業
【取得学位】
工学博士

職歴

金沢大学 工学部(1991/04/01-1992/03/31)
金沢大学 自然科学研究科(1992/04/01-1995/03/31)
金沢大学 工学部(1995/04/01-1996/09/30)
金沢大学 工学部(1996/10/01-1999/03/31)
金沢大学 工学部(1999/04/01-2001/03/31)
金沢大学 自然科学研究科(2001/04/01-)

生年月

1964年03月

所属学会

応用物理学会
日本物理学会
日本コンピュータ化学会
米国材料研究学会

学内委員会委員等

○セグメント管理委員 委員(1995-)
○理工系教育方法改善委員会 委員長(2014-2015)
○大学教育再生加速プログラム委員会 委員(2014-2015)
○理工学域教育方法改善委員会 その他(2012-2013)

受賞学術賞

○Poster Award(2016/09/15)

専門分野

電子・電気材料工学、電子デバイス・電子機器

専門分野キーワード

半導体,薄膜材料,ナノ構造

研究課題

半導体ナノ構造の物性解析と応用

著書

  • 基礎から学ぶUNIXワークステーション 株式会社トッパン 1999/09 原著書 共著 小林真也,猪熊孝夫,八木谷聡,滑川徹
  • 薄膜ハンドブック第2版 オーム社 2008/03 原著書 共著 猪熊孝夫,他多数 978-4-274-20519-4
  • Windowsによる情報処理基礎 学術図書出版社 2007/04 原著書 共著 船田哲男,猪熊孝夫,他8名 978-4-87361-689-6
  • Windows Vistaによる情報処理基礎 学術図書出版社 2008/04 原著書 共著 船田哲男,猪熊孝夫,他8名 978-4-7806-0097-1

論文

  • A comparable study of the photoluminescence properties of a-SiOx film and slicon nanocrystallites I. Umezu, K. Yoshida, A. Sugimura, T. Inokuma, S. Hasegawa Journal of Non-Crystalline Solids 266-269巻 1029-1032頁 2000/03 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • A preliminary study of MIS diodes with nm-thin GaAs-oxide layers T. Sugimura, T. Tsuzuku, T. Katsui, T. Inokuma, S. Hashimoto, K. Iiyama, S. Takamiya Solid-State Electronics 43巻 8号 1571-1576頁 1999/08 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Cathodoluminescence Properties of Silicon Nanocrystallites Embedded in Silicon Oxide Thin Films T. Inokuma,Y. Kurata, S. Hasegawa Journal of Luminescense 80巻 247-251頁 1999/02 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Dielectric properties of fluorinated silicon dioxide films S. Hasegawa, T. Tsukaoka, T. Inokuma, Y. Kurata Journal of Non-Crystalline Solids 240巻 154-165頁 1998/10 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Effects of Addition of SiF4 During Growth of Nanocrystalline Silicon Films Deposited at 100 degree C by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition A.M. Ali, T. Inokuma, Y. Kurata, S. Hasegawa Japanese Journal of Applied Physics 38巻 10号 6047-6053頁 1999/10 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)

全て表示

  • Effects of Addition of SiF4 to the SiH4 Feed Gas for Depositing Polycrystalline Silicon Films at Low Temperature. M. Syed, T. Inokuma, S. Hasegawa Japanese Journal of Applied Physics 36巻 11号 1997/11 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Effects of Nitrogen Addition to Fluorinated Silicon Dioxide Films S. Hasegawa, A, Saito, J. A. Lubguban, T. Inokuma, Y. Kurata Japanese Journal of Applied Physics 37巻 9A号 4904-4909頁 1998/09 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Effects of plasma-pretreatment on substrates before deposition of polycrystalline silicon films A.M. Ali, T. Inokuma, Y. Kurata, S. Hasegawa Japanese Journal of Applied Physics 41巻 1号 263-269頁 2002/01 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Influence of organic contamination on silicon dioxide integrity F. Sugimoto, S. Okamura, T. Inokuma, Y. Kurata, S. Hasegawa Japanese Journal of Applied Physics 39巻 5A号 2497-2502頁 2000/05 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Initial Growth of Polycrystalline Silicon Films on Substrates Subjected to Different Plasma Treatments S. Hasegawa, M. Sakata, T. Inokuma, Y. Kurata Japanese Journal of Applied Physics 37巻 9A号 4711-4717頁 1998/09 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Luminescence properties of nanocrystalline silicon films A.M. Ali, T. Inokuma, Y. Kurata, S. Hasegawa Material Science and Engineering C15巻 125-128頁 2001 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Nanoscale Structural Investigation of Si Crystallites Grown from Si Suboxide Films by Thermal Annealing Y. Wakayama, T. Inokuma and S. Hasegawa Journal of Crystal Growth 138巻 124-130頁 1998/04 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Optical Properties of Si Clusters and Si Nanocrystallites in High-Temperature Annealed SiOx Films T. Inokuma, Y. Wakayama and S. Hasegawa Journal of Applied Physics 83巻 4号 2228-2234頁 1998/04 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Optical Properties of silicon nanocrystallites in polycrystalline silicon films prepared at low temperature by plasma-enhanced chemical vapor deposition D.E. Mirovzorov, A.M. Ali, T. Inokuma, Y. Kurata, T. Suzuki, S. Hasegawa Thin Solid Films 382巻 47-55頁 2001 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Relationship between structural and optical properties in polycrystalline silicon films prepared at low temperature by plasma-enhanced chemical vapor deposition D. Milovzorov, T. Inokuma, Y. Kurata. S. Hasegawa Journal of Electrochemical Society 145巻 10号 3615-3620頁 1998/10 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Si nanocrystal growth in SiO2 matrix through solid-state reaction Y. Wakayama, T. Tagami, T. Inokuma, S. Hasegawa, S. Tanaka Recent Research and Development in Crystal Growth 1巻 83-101頁 1999/08 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Stability of the Dielectric Properties of PECVD Deposited Carbon-Doped SiOF Films J. A. Lubguban Jr., A. Saitoh, Y. Kurata, T. Inokuma, S. Hasegawa Thin Solid Films 337巻 67-70頁 1999/01 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Structural and optical properties of nanocrystalline silicon films deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition A.M. Ali, T. Inokuma, Y. Kurata, S. Hasegawa Japanese Journal of Applied Physics 41巻 1号 169-175頁 2002/01 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Structural Change of Polycrystalline Silicon Films with Different Deposition Temperature S. Hasegawa, M. Sakata, T. Inokuma, Y. Kurata Journal of Applied Physics 85巻 7号 3844-3849頁 1999/04 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Structure of defects in silicon oxynitride films S. Hasegawa, S. Sakamori, M. Futatsudera, T. Inokuma, Y. Kurata Journal of Applied Physics 89巻 5号 1頁 2001/03 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Structure of Polycrystalline Silicon Films Deposited at Low Temperature by Plasma CVD on Substrates Exposed to Different Plasma M.Syed, T. Inokuma, Y. Kurata, S. Takenaka, S. Hasegawa Thin Solid Films 337巻 27-31頁 1999/01 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Temperature Effects on the Structure of Polycrystalline Silicon Films by Glow-Discharge Decomposition using SiH4/SiF4 M. Syed, T. Inokuma, Y. Kurata, S. Hasegawa Japanese Journal of Applied Physics 38巻 3A号 1303-1309頁 1999/03 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Two-levels of Ni/n-GaAs Schottky barrier heights formed on a wafer by controlling pH of pretreatment chemicals T. Tsuzuku, T. Sugimura, Y. Kasai, T. Inokuma, K. Iiyama, S. Takamiya Japanese Journal of Applied Physics 39巻 Pt1, 10号 5788-5793頁 2000/10 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Deposition of SiO2:F:C films with low dielectric constant and with high resistance to annealing J. Lubguban Jr., Y. Kurata, T. Inokuma, S. Hasegawa Proceedings of Materials Research Society Fall Meeting 1999 (Boston) 606巻 57-62頁 2000/01 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Effects of deposition temperature and H2 dilution on structural and optical properties of Si films with nanometer-sized crystallites A.M. Ali, T. Inokuma, Y. Kurata, S. Hasegawa 1st MINIA International Conference for Advanced Trends in Engineering 153-161頁 1999/03 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Effects of Hydrogen dilution on the structural and optical properties of nanocrystalline silicon films A.M. Ali, T. Inokuma, Y. Kurata, S. Hasegawa 2nd International Conference on Basic Science and Advanced Technology 39巻 Pt1, 10号 5788-5793頁 2000/11 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Luminescence properties of nanocrystalline silicon films A.M. Ali, T. Inokuma, Y. Kurata, S. Hasegawa 2000 European Material Research Conference (Strasbourg) 2000/06 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Optical Properties of Nanocrystalline silicon films with different deposition temperatures A.M. Ali, T. Inokuma, Y. Kurata, S. Hasegawa Proceedings of Materials Research Society Fall Meeting 1999 (Boston) 581巻 585-570頁 2000/01 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Quantum chemical study on electronic excited states in silicon clusters passivated by hydrogen and oxygen atoms T. Inokuma, S. Hasegawa Proceedings 25th International Conference on Physics of Semiconduntors (Osaka) 1279-1280頁 2000/09 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Structure of polycrystalline silicon films by glow-discharge decomposition using SiH4/H2/SiF4 at low temperature R. Tsuchida, M. Syed, T. Inokuma, S. Hasegawa Proceedings of Materials Research Society Fall Meeting 1999 (Boston) 581巻 199-204頁 2000/01 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Surface states of (100) n-GaAs with adsorbed oxygens and their dependence on chemical treatment Y. Kasai, T. Tsuzuku, Y. Ohta, T. Inokuma, K. Iiyama, S. Takamiya Proceedings 25th International Conference on Physics of Semiconduntors (Osaka) 327-328頁 2000/09 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Controlled photoluminescence from silicon nanocrystals in a vertical optical cavity with distributed Bragg reflectors Takao Inokuma, 他2名 physica status solidi c 0巻 4号 1258-1261頁 2003/06 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Structural and electric properties of ultrathin SiOxNy layers with posttreatment in N2 plasma JOURNAL OF APPLIED PHYSIC 96巻 11号  6409-6414頁 2004/12 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Characterization of structure and role of different textures in polycrystalline Si films JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 2005/08 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Formation of ultrathin SixNy layers on silicon utilizing PECVD JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 2005/10 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Optical and structural properties of polycrystalline 3C-SiC films 89巻 18号  141904頁 2006/10 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Structural and photo-luminescence properties of nanocrystalline silicon films deposited at low temperature by plasma-enhanced chemical vapor deposition APPLIED SURFACE SCIENCE 253巻 3号  1198-1204頁 2006/11 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Roles of SiH4 and SiF4 in growth and structural changes of poly-Si films 601巻 5号  1429-1436頁 2007/03 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Annealing Effects on Cathodoluminescence Properties of SiOx Films Deposited by Radio Frequency Sputtering A.M. Shamekh, N. Tokuda, T. Inokuma The Japan Society of Applied Physics 50巻 1号 01BF04頁 2011/01 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Effects of high-temperature annealing on electron spin resonance in SiOx films prepared by R. F. sputtering system A.M. Shamekh, N. Tokuda, T. Inokuma JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 357巻 3号 981頁 2011/02 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Roles of SiH4 in growth, structural changes and optical properties of nanocrystalline silicon thin films Ali, A.M. , Inokuma, T., Al-Hajry, A., Kobayashi, H., Umezu, I., Morimoto, A. AIP Conference Proceedings 1370巻 2011/05 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Formation of step-free surfaces on diamond (111) mesas by homoepitaxial lateral growth Tokuda, N., Makino, T., Inokuma, T., Yamasaki, S. Japanese Journal of Applied Physics 51巻 9号 090107頁 2012/09 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Morphological, luminescence and structural properties of nanocrystalline silicon thin films Ali, A.M., Kobayashi, H., Inokuma, T., Al-Hajry, A. Materials Research Bulletin 48巻 3号 1027-1033頁 2013/03 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Fabrication of graphene on atomically flat diamond (111) surfaces using nickel as a catalyst S. Kanada, M. Nagai, S. Ito, T. Matsumoto, M. Ogura, D. Takeuchi, S. Yamasaki, T. Inokuma, N. Tokuda Diamond and Related Materials 75巻 105-109頁 2017/02 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Atomically flat diamond (100) surface formation by anisotropic etching of solid-solution reaction of carbon into nickel, K. Nakanishi, H. Kuroshima, T. Matsumoto, T. Inokuma, N. Tokuda Diamond and Related Materials 75巻 105-109頁 2016 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Inversion channel diamond metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with normally off characteristics T. Matsumoto, H. Kato, K. Oyama, T. Makino, M.Ogura, D. Takeuchi, T. Inokuma, N. Tokuda, S. Yamasaki Scientific Reports 68巻 31585頁 2016 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Influence of substrate misorientation on the surface morphology of homoepitaxial diamond (111) films N. Tokuda, M.Ogura, T. Matsumoto, S. Yamasaki, T. Inokuma Physica Status Solidi (A) 213巻 2051-2055頁 2016 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Anisotropic lateral growth of homoepitaxial diamond (111) films by plasma-enhanced chemical vapor deposition Norio Tokuda, Masahiko Ogura, Satoshi Yamsaki, and Takao Inokuma Jpn. J. Appl. Phys.  53巻 04EH04頁 2014 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Density functional studies of surface potentials for hydrogen and oxygen atoms on diamond (111) surfaces Samar Moustafa, Norio Tokuda, and Takao Inokuma Jpn. J. Appl. Phys. 53巻 02BD01頁 2014 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)

講演・口頭発表等

  • 球型共振器構造MPCVDを用いた高濃度ホウ素ドープダイヤモンド(100)膜の高速成長(会議名:第77回応用物理学会秋季学術講演会)(2016/09/15)
  • ニッケル中固溶炭素の析出を用いた自然剥離自立ダイヤモンド膜作製(会議名:第77回応用物理学会秋季学術講演会)(2016/09/15)
  • 蛍光色素ドープPMMA微小球光共振器の作製と評価(会議名:第77回応用物理学会秋季学術講演会)(2016/09/14)
  • 炭素固溶反応を用いた高速かつ異方性ダイヤモンド(100)エッチング(会議名:第77回応用物理学会秋季学術講演会)(2016/09/15)
  • ダイヤモンド(100)表面における水素および酸素の反応経路解析(会議名:第77回応用物理学会秋季学術講演会)(2016/09/15)

全て表示

  • 応用物理学会学術講演会 SiON膜を用いたダイヤモンドMOSダイオードの電気的特性 2012.09.13 応用物理学会学術講演会 球型共振構造のMPCVDを用いたダイヤモンド(111)ホモエピタキシャル成長 2012.09.13 応用物理学会学術講演会 ウェット酸化によるダイヤモンド(111)表面の酸素終端化 2012.09.13 応用物理学会北陸支部学術講演会 マイクロ波プラズマCVDを用いたダイヤモンド(111)ホモエピタキシャル成長 2012.11.17 応用物理学会北陸支部学術講演会 有機ポリマー微小球光共振器の作製に向けた蛍光色素のドープPMMA薄膜関する研究 2012.11.17 応用物理学関係連合講演会 ホウ素δドープ(111)ダイヤモンド構造の評価 2013.03.29 応用物理学関係連合講演会 水素アニール処理を用いたダイヤモンド(111)表面の水素終端化 2013.03.29(2012)
  • 応用物理学会学術講演会 ホモエピタキシャルCVDダイヤモンド(111)自立基板の作製 2011.08.30 応用物理学会学術講演会 ダイヤモンド熱酸化時の表面トポグラフィーIII 2011.08.30 応用物理学会学術講演会 原子的平坦(111)ダイヤモンドのグラファイト化を用いたグラフェン・オン・ダイヤモンドの形成 2011.08.30 応用物理学会学術講演会 ラテラル成長を用いたホウ素δドープ(111)ダイヤモンド構造の形成 2011.08.30 応用物理学会学術講演会 縦型酸素終端ダイヤモンドMOSダイオードの絶縁特性 2011.08.30(2011)
  • 応用物理学会学術講演会 ダイヤモンド熱酸化時の表面トポグラフィー 2010年9月15日 応用物理学関係連合講演会 PL enhancement by Au surface plasmon in Au/SiOx multilayers 2011年3月15日 応用物理学関係連合講演会 グラフェン・オン・ダイヤモンドの形成 2011年3月15日 応用物理学関係連合講演会 ダイヤモンド熱酸化時の表面トポグラフィーII 2011年3月15日 応用物理学関係連合講演会 ダイヤモンド(111)ホモエピタキシャル成長のオフ角依存性 2011年3月15日(2010)
  • 応用物理学会学術講演会 nc-Si分散薄膜を用いた浮遊ゲートMOSキャパシタの電気的特性 2009年9月9日(2009)
  • 応用物理学会北陸・信越支部 学術講演会 「Si ナノ結晶分散薄膜を用いたフォトニック結晶の作製と光学的特性」 2007年12月1日 応用物理学会北陸支部 学術講演会 「固体基板上への微小球光共振器の作製」 2008年11月22日 第56回応用物理学関係連合学術講演会 「SiO2薄膜の微細加工/熱処理による微小球光共振器の形成」 2009年4月2日(2008)

芸術・フィールドワーク

特許

○ダイヤモンドの製造方法(公開年月:2016/12/22)
○ダイヤモンド基板及びその製造方法(公開年月:2015/07/02)
○半導体装置(公開年月:2015/06/08)
○ダイヤモンドの加工方法
○グラフェン・ダイヤモンド積層体
○単結晶ダイヤモンド成長用の基材及び単結晶ダイヤモンドの製造方法

共同研究希望テーマ

○シリコンナノ結晶の素子応用

科研費

○基盤研究(C)「周期的構造変調層を形成したSiナノ結晶分散薄膜の電気的・光学的性質」(1999-) 代表者
○基盤研究(C)「周期的構造変調層を形成したSiナノ結晶分散薄膜の電気的・光学的性質」(2000-) 代表者
○基盤研究(C)「Siナノ結晶分散薄膜を活性媒質として用いたフォトニック結晶の光学的特性」(2001-) 代表者
○基盤研究(C)「Siナノ結晶分散薄膜を活性媒質として用いたフォトニック結晶の光学的特性」(2002-) 代表者
○基盤研究(C)「シリコンナノ結晶分散薄膜を用いた微小球光共振器の作製と光学特性解析」(2005-) 代表者
○基盤研究(C)「シリコンナノ結晶分散薄膜を用いた微小球光共振器の作製と光学特性解析」(2006-) 代表者

学域・学類担当授業科目

○計算機リテラシー(2017)
○地域概論(2017)
○卒業研究(2017)
○物理学Ⅰ(2017)
○電気磁気学第2及び演習(2017)
○量子力学(2017)
○量子力学(2016)
○卒業研究(2016)
○卒業研究後期からの卒業研究着手者(2016)
○卒業研究早期卒業予定者用(2016)
○電気磁気学第2及び演習(2016)
○物理学Ⅰ(2016)
○地域概論(2016)
○電気磁気学第2及び演習(2015)
○量子力学(2015)
○計算機リテラシー(2015)
○物理学Ⅰ(2015)
○物理学Ⅰ(2014)
○電気磁気学第2及び演習(2014)
○量子力学(2014)
○材料設計工学(2014)
○計算機リテラシー(2014)

大学院担当授業科目

○電子情報科学概論(2017)
○薄膜電子工学(2017)
○電子情報科学概論(2017)
○電子情報科学概論(2017)
○薄膜電子工学(2017)
○電子情報科学概論(2017)
○研究者として自立するために(2017)
○固体物性評価基礎論B(2017)
○研究者倫理(2017)
○薄膜電子工学(2017)
○研究者として自立するために(2017)
○薄膜電子工学(2017)
○国際研究インターンシップ(2017)
○国際研究インターンシップ(2017)
○国際研究インターンシップ(2016)
○電子情報科学概論(2016)
○国際研究インターンシップ(2016)
○薄膜電子工学(2016)
○固体物性評価基礎論B(2016)
○薄膜電子工学(2015)
○固体物性評価基礎論(2015)
○薄膜電子工学(2014)
○極微構造材料(2014)
○薄膜電子工学(2014)
○最新物性科学概論(2014)
○固体物性評価基礎論(2014)

他大学の客員教授

教育活動(FD)に関する研究

国際事業協力

○ミャンマー国工学系高等教育及び研究の拡充プロジェクト(JICA)ヤンゴン工科大学およびマンダレー工科大学ミャンマー(2013-)ミャンマー及び日本科目委員(電子工学分野) 相手国大学教員への研修,助言

留学生参加の社会活動

審議会等の参加

○金沢市立工業高等学校授業力評価委員会評価委員(2009/04/01-2011/03/31)
○金沢市立工業高等学校授業力改善アドバイザーアドバイザー(2011/04/01-)

講演可能なテーマ

○半導体ナノ結晶の特性と応用(キーワード:半導体,ナノ結晶,量子効果)

その他公的社会活動

○石川工業高等専門学校(2013-) 非常勤講師(「数値解析Ⅰ」,「数値解析Ⅱ」担当)

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