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研究者情報

データ更新日:2024年03月28日

松本翼 (まつもとつばさ) 准教授 TSUBASA Matsumoto

所属組織・役職等

ナノマテリアル研究所 パワーデバイス開発グループ
准教授

教育分野

【学士課程】
理工学域 電子情報通信学類 電気電子コース
【大学院前期課程】
自然科学研究科 電子情報科学専攻

所属研究室等

薄膜電子工学研究室 兼 パワーデバイス開発グループ

学歴

【出身大学院】
筑波大学大学院 博士課程 数理物質科学研究科 電子物理工学専攻 2014/03 修了
【出身大学】
熊本電波工業高等専門学校  電子情報システム工学専攻 2009/03 卒業
【取得学位】
博士(工学)

職歴

独立行政法人産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門電力エネルギー基盤グループ 産総研特別研究員 兼 イノベーションスクール生(2014/04-2015/03)
国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センターダイヤモンドデバイスチーム 産総研特別研究員(2015/04-2015/09)
国立大学法人金沢大学 ナノマテリアル研究所 テニュアトラック助教(2018/08-)
国立大学法人金沢大学 理工研究域電子情報通信学系 テニュアトラック助教(2018/04-2018/07)
国立大学法人金沢大学 理工研究域電子情報学系 テニュアトラック助教(2015/10-2018/03)

生年月

1986年06月

所属学会

ワイドギャップ半導体学会(202108-)
ニューダイヤモンドフォーラム
日本表面真空学会
応用物理学会

学内委員会委員等

受賞学術賞

○第3回 「応用物理学会薄膜・表面物理分科会 論文賞」(2019/03)
○第56回真空に関する連合講演会優秀ポスター賞(2015/12)

専門分野

電子・電気材料工学

専門分野キーワード

MOSFET,半導体,ダイヤモンド

研究課題

著書

  • Power Electronics Device Applications of Diamond emiconductors 1st Edition  Elsevier 2018/06 原著書 分担執筆 Tsubasa Matsumoto

論文

講演・口頭発表等

  • Normally Off Diamond Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor with Inversion Mode(会議名:2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017))(2017/09)
  • Development of Diamond MOSFET for Power Device Application(会議名:Satellite workshop of AAPPS-DPP2018)(2018/12)
  • Recent progress for inversion channel mobility improvement in diamond MOSFETs (会議名:The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019))(2019/11)
  • 反転層pチャネルダイヤモンドMOSFETの静特性(会議名:先進パワー半導体分科会 第3回講演会)(2016/11/09)
  • 反転層pチャネルを用いたダイヤモンドMOSFETの動作実証(会議名:第30回ダイヤモンドシンポジウム)(2016/11/18)

全て表示

  • Diamond Schottky-pn diode using lightly nitrogen-doped layer(会議名:International Conference on Diamond and Carbon Materials 2016)(2016/09/07)
  • Inversion channel diamond MOSFET(会議名:ハッセルトダイヤモンドワークショップ2017 SBDD XXII)(2017/03/08)

その他(報告書など)

芸術・フィールドワーク

特許

共同研究希望テーマ

○ダイヤモンドパワーデバイス

科研費

○基盤研究(B)「原子レベルの構造制御技術開発によるダイヤモンドMOSFETの高移動度・高耐圧化」(2021-2023) 代表者
○若手研究「窒素ドーピング技術を用いた超低損失反転層ダイヤモンドMOSFETの開発」(2019-2020) 代表者

競争的資金・寄付金等

○助成金 (2018-2018) 研究 ハイパワーダイヤモンドダイオードの開発 単年度研究助成 公益財団法人 池谷科学技術振興財団
○競争的資金(学外) (2021-2023) 研究 超高濃度ドーピングで拓くダイヤモンドパワーエレクトロニクス(旧:ダイヤモンドパワーエレクトロニクスの創成) 創発的研究支援事業 国立研究開発法人科学技術振興機構
○その他 (2019-2022) 研究 パワーデバイスの技術革新 未踏チャレンジ2050 国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構
○助成金 (2017/04/01-2018/03/31) 研究 反転層nチャネルダイヤモンドMOSFETの創製 公益信託小澤・吉川記念エレクトロニクス研究助成基金 公益信託小澤・吉川記念エレクトロニクス研究助成基金
○助成金 (2018-2018) 研究 縦型反転層ダイヤモンドMOSFET実現に向けた Ni触媒エッチングを用いた横型Schottky-pnダイオードの開発 平成30年度研究開発助成金 公益財団法人京都技術科学センター

共同研究・受託研究実績

A-STEP採択課題

学域・学類担当授業科目

○電気電子工学実験第2(2022)
○電気電子工学実験第2(2022)
○電気回路及び演習A(2022)
○電気回路及び演習B(2022)
○学域GS言語科目Ⅱ(理工系英語Ⅱ)(2022)
○学域GS言語科目Ⅰ(理工系英語Ⅰ)(2022)
○物理学実験(2022)
○物理学実験(2022)
○物理学実験(2021)
○電気回路及び演習A(2021)
○学域GS言語科目Ⅰ(理工系英語Ⅰ)(2021)
○学域GS言語科目Ⅱ(理工系英語Ⅱ)(2021)
○電気回路及び演習B(2021)
○電気電子工学実験第2(2021)
○電気回路及び演習B(2020)
○学域GS言語科目Ⅰ(理工系英語Ⅰ)(2020)
○電気回路及び演習A(2020)
○学域GS言語科目Ⅱ(理工系英語Ⅱ)(2020)
○電気電子工学実験第2(2020)
○物理学実験(2020)
○物理学実験(2019)
○電気電子工学実験第2(2019)
○学域GS言語科目Ⅱ(理工系英語Ⅱ)(2019)
○学域GS言語科目Ⅰ(理工系英語Ⅰ)(2019)
○学域GS言語科目Ⅰ(理工系英語Ⅰ)(2018)
○電気電子工学実験第2(2018)
○学域GS言語科目Ⅱ(理工系英語Ⅱ)(2018)
○物理学実験(2018)
○プレゼン・ディベート論(初学者ゼミⅡ)(2017)
○学域GS言語科目Ⅰ(理工系英語Ⅰ)電子情報学類A(2017)
○プレゼン・ディベート論(初学者ゼミⅡ)(2017)
○学域GS言語科目Ⅱ(理工系英語Ⅱ)電子情報学類A(2017)
○プレゼン・ディベート論(初学者ゼミⅡ)(2017)
○初学者ゼミⅠ(2017)
○電気電子工学実験第2(2017)
○プレゼン・ディベート論(初学者ゼミⅡ)(2017)
○物理学実験(2017)
○初学者ゼミⅠ(2017)
○物理学実験(2016)
○プレゼン・ディベート論(初学者ゼミⅡ)(2016)
○初学者ゼミⅠ(2016)
○プレゼン・ディベート論(初学者ゼミⅡ)(2016)
○初学者ゼミⅠ(2016)

大学院担当授業科目

他大学の客員教授

教育活動(FD)に関する研究

国際事業協力

留学生参加の社会活動

審議会等の参加

講演可能なテーマ

その他公的社会活動

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