松本翼 （まつもとつばさ） 准教授 TSUBASA Matsumoto
所属組織・役職等
ナノマテリアル研究所 パワーデバイス開発グループ
准教授
教育分野
【学士課程】
理工学域 電子情報通信学類 電気電子コース
【大学院前期課程】
自然科学研究科 電子情報科学専攻
所属研究室等
薄膜電子工学研究室 兼 パワーデバイス開発グループ
学歴
【出身大学院】
筑波大学大学院 博士課程 数理物質科学研究科 電子物理工学専攻 2014/03 修了
【出身大学】
熊本電波工業高等専門学校 電子情報システム工学専攻 2009/03 卒業
【取得学位】
博士（工学）
職歴
独立行政法人産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門電力エネルギー基盤グループ 産総研特別研究員 兼 イノベーションスクール生(2014/04-2015/03)
国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センターダイヤモンドデバイスチーム 産総研特別研究員(2015/04-2015/09)
国立大学法人金沢大学 ナノマテリアル研究所 テニュアトラック助教(2018/08-)
国立大学法人金沢大学 理工研究域電子情報通信学系 テニュアトラック助教(2018/04-2018/07)
国立大学法人金沢大学 理工研究域電子情報学系 テニュアトラック助教(2015/10-2018/03)
生年月
1986年06月
所属学会
ワイドギャップ半導体学会(202108-)
ニューダイヤモンドフォーラム
日本表面真空学会
応用物理学会
学内委員会委員等
受賞学術賞
○第３回 「応用物理学会薄膜・表面物理分科会 論文賞」(2019/03)
○第56回真空に関する連合講演会優秀ポスター賞(2015/12)
専門分野
電子・電気材料工学
専門分野キーワード
MOSFET,半導体,ダイヤモンド
研究課題
著書
- Power Electronics Device Applications of Diamond emiconductors 1st Edition Elsevier 2018/06 原著書 分担執筆 Tsubasa Matsumoto
論文
講演・口頭発表等
- Normally Off Diamond Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor with Inversion Mode(会議名：2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017))(2017/09)
- Development of Diamond MOSFET for Power Device Application(会議名：Satellite workshop of AAPPS-DPP2018)(2018/12)
- Recent progress for inversion channel mobility improvement in diamond MOSFETs (会議名：The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019))(2019/11)
- 反転層pチャネルダイヤモンドMOSFETの静特性(会議名：先進パワー半導体分科会 第３回講演会)(2016/11/09)
- 反転層pチャネルを用いたダイヤモンドMOSFETの動作実証(会議名：第３０回ダイヤモンドシンポジウム)(2016/11/18)
- Diamond Schottky-pn diode using lightly nitrogen-doped layer(会議名：International Conference on Diamond and Carbon Materials 2016)(2016/09/07)
- Inversion channel diamond MOSFET(会議名：ハッセルトダイヤモンドワークショップ2017 SBDD XXII)(2017/03/08)
その他（報告書など）
芸術・フィールドワーク
特許
共同研究希望テーマ
○ダイヤモンドパワーデバイス
科研費
○基盤研究(B)「原子レベルの構造制御技術開発によるダイヤモンドMOSFETの高移動度・高耐圧化」(2021-2023) 代表者
○若手研究「窒素ドーピング技術を用いた超低損失反転層ダイヤモンドMOSFETの開発」(2019-2020) 代表者
競争的資金・寄付金等
○助成金 (2018-2018) 研究 ハイパワーダイヤモンドダイオードの開発 単年度研究助成 公益財団法人 池谷科学技術振興財団
○競争的資金(学外) (2021-2023) 研究 超高濃度ドーピングで拓くダイヤモンドパワーエレクトロニクス（旧：ダイヤモンドパワーエレクトロニクスの創成） 創発的研究支援事業 国立研究開発法人科学技術振興機構
○その他 (2019-2022) 研究 パワーデバイスの技術革新 未踏チャレンジ2050 国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構
○助成金 (2017/04/01-2018/03/31) 研究 反転層nチャネルダイヤモンドMOSFETの創製 公益信託小澤・吉川記念エレクトロニクス研究助成基金 公益信託小澤・吉川記念エレクトロニクス研究助成基金
○助成金 (2018-2018) 研究 縦型反転層ダイヤモンドMOSFET実現に向けた Ni触媒エッチングを用いた横型Schottky-pnダイオードの開発 平成３０年度研究開発助成金 公益財団法人京都技術科学センター
共同研究・受託研究実績
A-STEP採択課題
学域・学類担当授業科目
○電気電子工学実験第２(2022)
○電気回路及び演習Ｂ(2022)
○電気電子工学実験第２(2022)
○電気回路及び演習Ａ(2022)
○学域ＧＳ言語科目Ⅱ（理工系英語Ⅱ）(2022)
○学域ＧＳ言語科目Ⅰ（理工系英語Ⅰ）(2022)
○物理学実験(2022)
○物理学実験(2022)
○物理学実験(2021)
○電気回路及び演習Ｂ(2021)
○電気電子工学実験第２(2021)
○学域ＧＳ言語科目Ⅰ（理工系英語Ⅰ）(2021)
○電気回路及び演習Ａ(2021)
○学域ＧＳ言語科目Ⅱ（理工系英語Ⅱ）(2021)
○電気回路及び演習Ｂ(2020)
○学域ＧＳ言語科目Ⅰ（理工系英語Ⅰ）(2020)
○電気回路及び演習Ａ(2020)
○学域ＧＳ言語科目Ⅱ（理工系英語Ⅱ）(2020)
○電気電子工学実験第２(2020)
○物理学実験(2020)
○電気電子工学実験第２(2019)
○学域ＧＳ言語科目Ⅰ（理工系英語Ⅰ）(2019)
○学域ＧＳ言語科目Ⅱ（理工系英語Ⅱ）(2019)
○物理学実験(2019)
○学域ＧＳ言語科目Ⅰ（理工系英語Ⅰ）(2018)
○物理学実験(2018)
○学域ＧＳ言語科目Ⅱ（理工系英語Ⅱ）(2018)
○電気電子工学実験第２(2018)
○学域ＧＳ言語科目Ⅱ（理工系英語Ⅱ）電子情報学類Ａ(2017)
○プレゼン・ディベート論（初学者ゼミⅡ）(2017)
○学域ＧＳ言語科目Ⅰ（理工系英語Ⅰ）電子情報学類Ａ(2017)
○プレゼン・ディベート論（初学者ゼミⅡ）(2017)
○プレゼン・ディベート論（初学者ゼミⅡ）(2017)
○初学者ゼミⅠ(2017)
○初学者ゼミⅠ(2017)
○物理学実験(2017)
○電気電子工学実験第２(2017)
○プレゼン・ディベート論（初学者ゼミⅡ）(2017)
○物理学実験(2016)
○プレゼン・ディベート論（初学者ゼミⅡ）(2016)
○初学者ゼミⅠ(2016)
○プレゼン・ディベート論（初学者ゼミⅡ）(2016)
○初学者ゼミⅠ(2016)