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工学
電子・電気材料工学
| キーワード | 研究者名 | 研究情報 |
|---|---|---|
| 半導体，薄膜材料，ナノ構造 | 猪熊 孝夫 |
共同研究希望テーマ
・シリコンナノ結晶の素子応用
研究課題
・半導体ナノ構造の物性解析と応用
出願済みの発明名称
・単結晶ダイヤモンド成長用の基材及び単結晶ダイヤモンドの製造方法 ・グラフェン・ダイヤモンド積層体 ・ダイヤモンドの加工方法 ・ダイヤモンドの製造方法(公開年月：2016/12/22) ・半導体装置(公開年月：2015/06/08) ・ダイヤモンド基板及びその製造方法(公開年月：2015/07/02)
科研費採択テーマ
・周期的構造変調層を形成したSiナノ結晶分散薄膜の電気的・光学的性質 ・周期的構造変調層を形成したSiナノ結晶分散薄膜の電気的・光学的性質 ・Siナノ結晶分散薄膜を活性媒質として用いたフォトニック結晶の光学的特性 ・Siナノ結晶分散薄膜を活性媒質として用いたフォトニック結晶の光学的特性 ・シリコンナノ結晶分散薄膜を用いた微小球光共振器の作製と光学特性解析 ・シリコンナノ結晶分散薄膜を用いた微小球光共振器の作製と光学特性解析 |
| 酸化物エレクトロニクス,低環境負荷プロセス,ボトムアップ微細加工,リマニュファクチュアリング,デバイスプロセス | 川江 健 |
研究課題
・誘電体薄膜の作製と評価 ・電子デバイス用ダイヤモンド薄膜の作製と評価 ・高温超伝導デバイス
出願済みの発明名称
・抵抗変化型メモリ及び抵抗変化型メモリの製造方法(公開年月：2015/12/07) ・電界効果トランジスタ(公開年月：2016/12/15)
科研費採択テーマ
・強誘電体の巨大分極を利用した超低損失ダイヤモンドパワーFETの創出 ・巨大残留分極を用いたカーボン系材料の表面キャリア制御 ・極限環境動作を目指した強誘電体不揮発性メモリデバイスの開発 ・高濃度ボロン添加ダイヤモンド超伝導体薄膜を用いたジョセフソンデバイスの開発 ・宇宙空間・廃炉現場での動作を可能とする超低損失パワーＦＥＴの創出 ・強誘電体の巨大分極を利用した超低損失ダイヤモンドパワーFETの創出
産学連携・技術移転事業の採択テーマ
・環境にやさしく、効率的なMEMSデバイス形成技術の開発 |
| 半導体レーザ、イメージセンサ、リチウム電池、太陽電池、第一原理計算、磁性体、キャリアデザイン | 鈴木 政勝 |
研究課題
・博士学生・留学生のキャリア開発とリベラルアーツ教育 |
| MOSFET,半導体,ダイヤモンド | 松本翼 |
共同研究希望テーマ
・ダイヤモンドパワーデバイス
科研費採択テーマ
・窒素ドーピング技術を用いた超低損失反転層ダイヤモンドMOSFETの開発 ・原子レベルの構造制御技術開発によるダイヤモンドMOSFETの高移動度・高耐圧化 |
| レーザアブレーション、PLD、酸化物エレクトロニクス、強誘電体薄膜、不揮発性メモリ、 強誘電体不揮発メモリ、強誘電性分極誘起の光起電力効果 | 森本 章治 |
共同研究希望テーマ
・電子ビームやレーザを利用したサブミクロン及びナノサイズ配線 ・パルスレーザアブレーション（PLD）法を用いた機能性酸化物薄膜の作製とそのデバイス化
研究課題
・レーザアブレーション法による不揮発メモリ用強誘電体薄膜の作製 ・強誘電性分極を用いたFe-ReRAM型不揮発メモリの開発 ・強誘電性分極を用いた新規太陽電池の開発 ・鉄系酸化物薄膜の作製と光電特性評価 ・Erドープ強誘電体薄膜の作製とPL発光の電界変調 ・Alリッチアルミナ層を用いた不揮発性メモリ開発
出願済みの発明名称
・強誘電体薄膜及び強誘電体薄膜素子の製造方法、並びに強誘電体薄膜構造及び強誘電体薄膜素子(公開年月：1999/04)(特許番号：特開平11-103027) ・下部電極及びそれを利用した光学素子(公開年月：2003/01)(特許番号：特開2003-15098) ・BSZT誘電体、キャパシタ及び不揮発性メモリ並びにそれらの製造方法(公開年月：2007/10/01)(特許番号：特開2007-258252) ・強誘電体材料及び圧電体(公開年月：2009/10/01)(特許番号：特開2009-231482) ・強誘電体、圧電体及びこれらの製造方法(公開年月：2010/09)(特許番号：特開2010-219157) ・半導体メモリ (公開年月：2011/09)(特許番号：特開2011-176168) ・抵抗変化型メモリ及び抵抗変化型メモリの製造方法 (公開年月：2015/12/07)
科研費採択テーマ
・レ-ザアブレ-ションにおける薄膜堆積機構解明 ・レーザドロプレットエピタクシ法による高品質電子材料薄膜の作製 ・電子ビーム誘起効果を用いた選択成長によるナノファブリケーション ・アモルファスSi中のErの発光に対するダングリングボンドの役割 ・エルビウム添加強誘電体薄膜の作製と圧電効果を用いた発光制御 ・エルビウム添加強誘電体薄膜の作製と圧電効果を用いた発光制御 ・低環境負荷金属酸化物を用いた中間バンド半導体薄膜の開発と光電特性 ・鉄系ペロブスカイト酸化膜の強誘電性分極を用いた新規太陽電池の創成 ・強誘電体薄膜を用いたReRAM型高機能不揮発メモリの開発と機構解明 |