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川江 健 （かわえ たけし） 准教授 KAWAE Takeshi
所属組織・役職等
理工研究域 電子情報通信学系
教育分野
【学士課程】
理工学域 電子情報通信学類 電気電子コース
【大学院前期課程】
自然科学研究科 電子情報科学専攻
【大学院後期課程】
自然科学研究科 電子情報科学専攻
所属研究室等
機能材料・プロセス工学研究室 TEL:076-234-4881 FAX:076-234-4870
学歴
【出身大学院】
東北大学 博士課程 工学研究科 電気・通信工学専攻 2003/03 修了
【取得学位】
博士(工学)
職歴
東北大学流体科学研究所 研究機関研究員(2003/04/01-2004/03/31)
独立行政法人 物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所 特別研究員(2004/04/01-2005/03/30)
生年月
1975年03月
所属学会
応用物理学会
日本セラミックス協会
学内委員会委員等
受賞学術賞
○第10回日露強誘電体シンポジウム若手研究者優秀論文賞(2010/07/02)
○日本電子材料技術協会第46回秋期講演大会優秀賞(2009/11/20)
専門分野
電子・電気材料工学
専門分野キーワード
機能性酸化物材料
研究課題
誘電体薄膜の作製と評価
電子デバイス用ダイヤモンド薄膜の作製と評価
高温超伝導デバイス
著書
- Influences of Pr and Mn co-substitution on crystallinity and electric properties of BiFeO3 thin films 2010/07 原著書 共著 118巻 652頁
論文
- Charging effect characteristic in one-dimensional array on Bi2Sr2CaCu2O8+d intrinsic Josephson junctions T. Kawae、T. Yasuda、 S. Awaji ほか3名 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 44巻 24号 L766-L769頁 2005/06 査読有 原著論文 研究論文（学術雑誌）
- Influence of charging energy on Cooper-pair tunneling in Bi-2212 small intrinsic Josephson junctions T. Kawae、 T. Yasuda、 S-J. Kim ほか2名 IEEE TRANSACTIONS ON APPLIED SUPERCONDUCTIVITY 13巻 2号 897-900頁 2003/08 査読有 原著論文 研究論文（学術雑誌）
- Junction area dependence of critical current density in Bi-2212 stacked junction T. Kawae, K. Inomata, S.-J. Kim ほか5名 SUPERCONDUCTOR SCIENCE & TECHNOLOGY 14号 1102-1105頁 2001/10 査読有 原著論文 研究論文（学術雑誌）
- Sub-micron sized intrinsic Josephson junctions in YBa2Cu3O7-x whiskers T. Kawae, M. Nagao, Y. Takano ほか4名 SUPERCONDUCTOR SCIENCE & TECHNOLOGY 18号 pp1159-1162頁 2005/07 査読有 原著論文 研究論文（学術雑誌）
- Fabrication of BiFeO3 Thick Films by a Simple Liquid-Phase Epitaxial Growth Technique 47巻 237-239頁 2008/01 査読有 原著論文 研究論文（学術雑誌）
- Reduced leakage current and ferroelectric properties in Nd and Mn codoped BiFeO3 thin films 2008/04 査読有 原著論文 研究論文（学術雑誌）
- Improved leakage and ferroelectric properties of Mn and Ti codoped BiFeO3 thin films 94 112904頁 2009/03 査読有 原著論文
- Hysteresis behavior of capacitance-voltage curve in (Ba0.6Sr0.4)TiO3 thick films caused by strained hetero-structure 2009/09 査読有 原著論文
- Composition dependence in BiFeO3 film capacitor with suppressed leakage current by Nd and Mn co-substitution and their ferroelectric properties 2008/09 査読有 原著論文
- Structure and Electrical Properties of (Pr, Mn)-codoped BiFeO3/B-doped Diamond Layered Structure 2011/03 査読有 原著論文
- Influence of precursor concentration and growth time on the surface morphology and crystallinity of a-Ga2O3 thin films fabricated by mist chemical vapor deposition Y. Nakabayashi, S. Yamada, S. Ito, and T. Kawae Journal of the Ceramic Society of Japan 126巻 11号 925頁 2018 研究論文（学術雑誌）
? - Influence of rapid thermal annealing at varied temperatures on conductivity activation energy and structural properties of Si-doped β-Ga2O3 film grown by pulsed laser deposition I. D. Antoro, S. Itoh, S. Yamada, and T. Kawae Ceramics International 45巻 1号 747頁 2019 査読有 原著論文 研究論文（学術雑誌）
- Dependence of electric properties of BiFeO3 ultra thin film capacitors on thickness of SrRuO3 bottom electrode Y. Tsukada, Y. Terauchi, T. Nakajima, Y. Nomura, S. Okamura, and A. Morimoto Japanese Journal of Applied Physics 2011/09 査読有 原著論文 研究論文（学術雑誌）
- Hysteresis loops of polarization and magnetization in BiNd0.05Fe0.97Mn0.03O3/Pt/CoFe2O4 layered epitaxial thin film grown by pulsed laser deposition J. Hu, H. Naganuma, T. Nakajima, Y. Terauchi, S. Okamura, and A. Morimoto Thin Solid Films 519巻 7727頁 2011/05 査読有 研究論文（学術雑誌）
講演・口頭発表等
その他（報告書など）
芸術・フィールドワーク
特許
○電界効果トランジスタ(公開年月：2016/12/15)
○抵抗変化型メモリ及び抵抗変化型メモリの製造方法(公開年月：2015/12/07)
共同研究希望テーマ
科研費
○基盤研究（B）「強誘電体の巨大分極を利用した超低損失ダイヤモンドパワーFETの創出」(2017-2019) 代表者
○挑戦的萌芽研究「巨大残留分極を用いたカーボン系材料の表面キャリア制御」(2012-2013) 代表者
○若手研究（Ｂ）「極限環境動作を目指した強誘電体不揮発性メモリデバイスの開発」(2009-)
○若手研究（Ｂ）「高濃度ボロン添加ダイヤモンド超伝導体薄膜を用いたジョセフソンデバイスの開発」(2007-) 代表者
○基盤研究(C)（一般）「宇宙空間・廃炉現場での動作を可能とする超低損失パワーＦＥＴの創出」(2020-2022) 代表者
○基盤研究(B)（一般）「強誘電体の巨大分極を利用した超低損失ダイヤモンドパワーFETの創出」(2017-2019) 代表者
競争的資金・寄付金等
○競争的資金(学外) (2009-) 研究 環境に優しい新規強誘電/圧電材料の開発と応用 独立行政法人 日本科学技術振興機構 シーズ発掘試験研究
○競争的資金(学外) (2009-) 研究 同時元素置換法を用いた室温安定動作型非鉛強誘電/圧電材料の開発と応用 財団法人 三谷研究開発支援財団 助成対象研究開発
○競争的資金(学外) (2007-) 研究 ダイヤモンド超伝導体デバイスの作製プロセス技術の確立とその基礎研究 関西エネルギー・リサイクル科学研究振興財団
共同研究・受託研究実績
A-STEP採択課題
○環境にやさしく、効率的なMEMSデバイス形成技術の開発 豊かな生活の構築 ナノ・材料 機械・ものづくり
学域・学類担当授業科目
○化学Ⅰ(2020)
○化学Ⅰ(2020)
○化学Ⅰ(2020)
○化学ＩＡ(2020)
○化学ＩＡ(2020)
○化学ＩＡ(2020)
○電気電子材料Ａ(2020)
○電気電子工学実験第３(2020)
○電気電子材料Ｂ(2020)
○物理学実験(2020)
○プレゼン・ディベート論（初学者ゼミⅡ）(2020)
○電気電子材料Ｂ(2018)
○電気電子材料Ａ(2018)
○電気電子工学実験第３(2018)
○物理学実験(2018)
○プレゼン・ディベート論（初学者ゼミⅡ）(2017)
○電気電子工学実験第３(2017)
○プレゼン・ディベート論（初学者ゼミⅡ）(2017)
○物理学実験(2017)
○初学者ゼミⅠ(2017)
○初学者ゼミⅠ(2017)
○電気電子材料(2017)
○プレゼン・ディベート論（初学者ゼミⅡ）(2017)
○プレゼン・ディベート論（初学者ゼミⅡ）(2017)
○初学者ゼミⅠ(2016)
○初学者ゼミⅠ(2016)
○プレゼン・ディベート論（初学者ゼミⅡ）(2016)
○プレゼン・ディベート論（初学者ゼミⅡ）(2016)
○物理学実験(2016)
○電気電子工学実験第３(2016)
○電気電子材料(2016)
○電気電子材料(2016)
○物理学実験(2015)
○初学者ゼミ(2015)
○電気電子工学実験第３(2015)
○電気電子材料(2015)
○初学者ゼミ(2015)
○初学者ゼミ(2014)
○物理学実験(2014)
○電気電子工学実験第３(2014)
○電気電子材料(2014)
大学院担当授業科目
○デバイスプロセス工学A(2020)
○デバイスプロセス工学B(2020)
○デバイスプロセス工学b(2020)
○デバイスプロセス工学a(2020)
○酸化物デバイスプロセス論(2020)
○酸化物デバイスプロセス論(2020)
○酸化物デバイスプロセス論(2020)
○酸化物デバイスプロセス論(2020)
○酸化物デバイスプロセス論(2020)
○酸化物デバイスプロセス論(2020)
○酸化物デバイスプロセス論(2020)
○酸化物デバイスプロセス論(2020)
○研究者として自立するために(2020)
○酸化物デバイスプロセス論(2018)
○デバイスプロセス工学(2018)
○デバイスプロセス工学(2018)
○酸化物デバイスプロセス論(2017)
○酸化物デバイスプロセス論(2017)
○酸化物デバイスプロセス論(2017)
○酸化物デバイスプロセス論(2017)
○デバイスプロセス工学(2017)
○デバイスプロセス工学(2016)
○酸化物デバイスプロセス論(2016)
○デバイスプロセス工学(2015)
○酸化物デバイスプロセス論(2015)
○酸化物デバイスプロセス論(2014)
○酸化物デバイス作製論(2014)
○酸化物デバイス評価論(2014)
○デバイスプロセス工学(2014)
他大学の客員教授
教育活動（FD）に関する研究
国際事業協力
留学生参加の社会活動
審議会等の参加
○国際固体素子材料コンファレンス論文委員(2011/01/01-2012/12/31)