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研究者情報

データ更新日：2024年04月24日

鈴木 政勝　（すずき まさかつ）　特任教授　SUZUKI Masakatsu

所属組織・役職等

国際基幹教育院　GS教育系

教育分野

所属研究室等

総合教育１号館 310号室

学歴

【出身大学院】
大阪大学大学院　修士課程　基礎工学研究科　物理系　1992/03　修了
【出身大学】
大阪大学　基礎工学部　物性物理工学科　1990/03　卒業
【取得学位】
博士(理学)
修士(工学)

職歴

松下電器産業(株) ※現 パナソニック(株)　中央研究所　社員, 研究員(主任)(1992/04-2000/03)
松下電器産業(株) ※現 パナソニック(株)　半導体社　主任技師(主事)(2000/04-2012/03)
早稲田大学　理工学部　非常勤講師(2006/04-2010/03)
パナソニック(株)　デバイス社 半導体事業グループ　主幹技師(参事)(2012/04-2014/03)
パナソニック・タワージャズ セミコンダクター(株) ※現 タワーパートナーズ セミコンダクター(株)　プロセステクノロジーセンター　主幹技師(参事), 課長(2014/04-2024/02)
金沢大学　国際基幹教育院　特任教授(2024/03-)

生年月

1968年03月

所属学会

日本物理学会
応用物理学会

学内委員会委員等

受賞学術賞

○応用物理学会賞B (奨励賞)(1997/10)

専門分野

電子・電気材料工学、電子デバイス・電子機器、応用物性、計算科学、物性Ⅰ、物性Ⅱ

専門分野キーワード

半導体レーザ、イメージセンサ、リチウム電池、太陽電池、第一原理計算、窒化物半導体、遷移金属化合物、磁性体

研究課題

著書

  • Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes　Taylor & Francis (CRC Press)　2000/03/09　原著書　分担執筆　S. Nakamura and S. F. Chichibu 編, T. Uenoyama and M. Suzuki (第2章担当) 　0-7484-0836-3
  • GaN and Related Materials II (Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices) 　Gordon and Breach (CRC Press)　2000/01　原著書　分担執筆　Stephen J. Pearton 編, T. Uenoyama and M. Suzuki (第6章担当) 　905699686X
  • Properties, Processing and Applications of Gallium Nitride and Related Semiconductors (EMIS DATAREVIEWS SERIES, No23)　The Institution of Electrical Engineers (INSPEC)　1999/01　原著書　分担執筆　J. H. Edgar, S. Strite, I. Akasaki, H. Amano and C. Wetzel 編, M. Suzuki and T. Uenoyama (A6章担当)　0852969538
  • Group III Nitride Semiconductor Compounds: Physics and Applications　Oxford University Press (Clarendon Press)　1998/07/16　原著書　分担執筆　Bernard Gil 編, M. Suzuki and T. Uenoyama (第8章担当) 　0198501595

論文

  • Low temperature lag-induced FPN of dual transfer global shutter pixels under low illumination conditions　X. Ge, A. Lahav, M. Tsutsui, M. Suzuki, T. Imoriya　Proceedings of 2023 International Image Sensors Workshop　Online Library巻　R2.4頁　2023/05　査読有　原著論文　研究論文（プロシーディング）
  • Optimization of a 65 nm CMOS imaging process for monolithic CMOS sensors for high energy physics 　W. Snoeys, M. Suzuki and 120 other authors　Proceedings of 10th International Workshop on Semiconductor Pixel Detectors for Particles and Imaging, PoS (Pixel2022)　420巻　P083頁　2023/03/13　査読有　原著論文　研究論文（プロシーディング）
  • Pixel pitch hybrid bonding and three layer stacking technology for BSI image sensor　K. Tanida, S. Suzuki, T. Seo, Y. Morinaga, H. Korogi, M. Tetani, R. Eto, T. Yamashita, Y. Kato, N. Sato, T. Shimizu, T. Hanawa, H. Kubo, K. Ueda, F. Ito, Y. Noguchi, M. Nakamura, R. Mizukoshi, M. Takeuchi, M. Suzuki, N. Niisoe, I. Miyanaga, A. Ikeda, S. Matsumoto　Proceedings of 2022 IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC)　5-7頁　2022/06/27　査読有　原著論文　研究論文（プロシーディング）
  • Development of Low Parasitic Light Sensitivity and Low Dark Current 2.8 μm Global Shutter Pixel　Toshifumi Yokoyama, Masafumi Tsutsui, Masakatsu Suzuki, Yoshiaki Nishi, Ikuo Mizuno, Assaf Lahav　Sensors　18巻　2号　349-360頁　2018/01/25　査読有　原著論文　研究論文（学術雑誌）
  • Development of low noise memory node in a 2.8μm global shutter pixel with dual transfer　M. Tsutsui, T. Hirata, K. Tachikawa, I. Mizuno, M. Suzuki, D. Veinger, A. Birman, A. Lahav　Proceedings of 2017 International Image Sensors Workshop　28-31頁　2017/05　査読有　原著論文　研究論文（プロシーディング）

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  • Design of double micro lens structure for 2.8um global shutter pixel　T. Yokoyama, M. Suzuki, Y. Nishi, I. Mizuno, A. Lahav　Proceedings of 2017 International Image Sensors Workshop　398-401頁　2017/05　査読有　原著論文　研究論文（プロシーディング）
  • Cross talk, quantum efficiency and parasitic light sensitivity comparison for different near infra-red enhanced sub 3um global shutter pixel architectures　A. Lahav, D. Veinger, A. Birman, M. Suzuki, T. Hirata, K. Tachikawa, M. Tsutsui, T. Yokoyama, Y. Nishi, I. Mizuno　Proceedings of 2017 International Image Sensors Workshop　390-393頁　2017/05　査読有　原著論文　研究論文（プロシーディング）
  • A 1.4um front-side illuminated image sensor with novel light guiding structure consisting of stacked lightpipes　Hisashi Watanabe, Jun Hirai, Motonari Katsuno, Keishi Tachikawa, Sho Tsuji, Masao Kataoka, Saori Kawagishi, Hiroko Kubo, Hisashi Yano, Shigeru Suzuki, Gen Okazaki, Kouichi Yamamoto, Hiroshi Fujinaka, Takashi Fujioka, Masakatsu Suzuki　Proceedings of 2011 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)　197-200頁　2011/12　査読有　原著論文　研究論文（プロシーディング）
  • Electronic Band Structure of Li2CuO2 and Application to Battery Electrode　Norikazu Tanaka, Masakatsu Suzuki, Kazuko Motizuki　Japanese Journal of Applied Physics　39巻　S1号　248-250頁　2000/01　査読有　原著論文　研究論文（学術雑誌）
  • Electronic and magnetic properties of Li2CuO2　Norikazu Tanaka, Masakatsu Suzuki, Kazuko Motizuki　Physica B: Condensed Matter　284-288巻　1388-1389頁　2000/07　査読有　原著論文　研究論文（学術雑誌）
  • Room-Temperature CW Operation of GaInN Multiple Quantum Well Laser Diodes with Optimized Indium Content　A. Tsujimura, A. Ishibashi, Y. Hasegawa, S. Kamiyama, I. Kidoguchi, N. Otsuka, R. Miyanaga, G. Sugahara, M. Suzuki, M. Kume, K. Harafuji, Y. Ban　Physica status solidi (a)　176巻　1号　53-57頁　1999/11/22　査読有　原著論文　研究論文（学術雑誌）
  • Room-temperature continuous-wave operation of GaInN multiquantum well laser diodes with low indium content　A. Tsujimura, Y. Hasegawa, A. Ishibashi, S. Kamiyama, I. Kidoguchi, R. Miyanaga, M. Suzuki, M. Kume, K. Harafuji, Y. Ban　Electronics Letters　35巻　12号　998-998頁　1999/06/10　査読有　原著論文　研究論文（学術雑誌）
  • Electronic Structure and Magnetic Properties of Li2CuO2　Norikazu Tanaka, Masakatsu Suzuki, Kazuko Motizuki　Journal of the Physical Society of Japan　68巻　5号　1684-1692頁　1999/05/15　査読有　原著論文　研究論文（学術雑誌）
  • Theoretical optical gain in InGaN quantum wells　Takeshi Uenoyama, Masakazu Suzuki　Materials Science and Engineering: B　59巻　1-3号　376-381頁　1999/05/06　査読有　原著論文　研究論文（学術雑誌）
  • Electronic band structure of Li2CuO2　N. Tanaka, M. Suzuki, K. Motizuki　Journal of Magnetism and Magnetic Materials　196-197巻　667-668頁　1999/05/01　査読有　原著論文　研究論文（学術雑誌）
  • Effect of crystal symmetry on electronic structures of CuInSe2 and CuIn3Se5　M. Suzuki, T. Uenoyama, T. Wada, T. Hanada, Y. Nakamura　Inst. Phys. Conf. Ser. (Proc. 11th Int. Conf. on Ternary and Multinary Compounds (ICTMC11))　152巻　197-200頁　1998　査読有　原著論文　研究論文（プロシーディング）
  • Effect of crystal symmetry, strain and spin–orbit coupling on electronic and optical properties of III-nitrides　M Suzuki, T Uenoyama　Journal of Crystal Growth　189-190巻　625-629頁　1998/06/15　査読有　原著論文　研究論文（学術雑誌）
  • Effect of crystal symmetry on electronic structures of CuInSe2 and related compounds　Masakatsu Suzuki, Takeshi Uenoyama, Takahiro Wada, Takeshi Hanada, Yoshio Nakamura　Japanese Journal of Applied Physics　36巻　9A号　L1139-L頁　1997/09/15　査読有　原著論文　研究論文（学術雑誌）
  • Theoretical analysis of optical gain and exciton effect in GaN/AlGaN quantum wells　Takeshi Uenoyama, Masakatsu Suzuki　Physics and Simulation of Optoelectronic Devices V (Proc. Soc. Photo-Opt. Instr. Eng)　2994巻　94-101頁　1997/06/06　査読有　原著論文　研究論文（プロシーディング）
  • Electronic and Optical Properties of Bulk GaN and GaN/AlGaN Quantum Well Structures　M. Suzuki, T. Uenoyama　Mat. Res. Soc. Proc.　468巻　251-262頁　1997/03　査読有　原著論文　研究論文（プロシーディング）
  • First principles calculation of effective mass parameters of GaN　Masakatsu Suzuki,Takeshi Uenoyama　Solid-State Electronics　41巻　2号　271-274頁　1997/02　査読有　原著論文　研究論文（学術雑誌）
  • Strain effect on electronic and optical properties of GaN/AlGaN quantum well lasers　Masakatsu Suzuki, Takeshi Uenoyama　Journal of Applied Physics　80巻　12号　6868-6874頁　1996/12/15　査読有　原著論文　研究論文（学術雑誌）
  • Optical gain and crystal symmetry in III–V nitride lasers　Masakatsu Suzuki, Takeshi Uenoyama　Applied Physics Letters　69巻　22号　3378-3380頁　1996/11/25　査読有　原著論文　研究論文（学術雑誌）
  • Reduction of Threshold Current Density of Wurtzite GaN/AlGaN Quantum Well Lasers by Uniaxial Strain in (0001) Plane　Masakatsu Suzuki, Takeshi Uenoyama　Japanese Journal of Applied Physics　35巻　8A号　L953-L956頁　1996/08/01　査読有　原著論文　研究論文（学術雑誌）
  • Theoretical estimation of LD performance in zincblende and wurtzite III-V nitrides　T. Uenoyama, M. Suzuki　Proc. Int. Symp. on Blue Laser and Light Emitting Diodes (ISBLLED)　271-276頁　1996/03　査読有　原著論文　研究論文（プロシーディング）
  • Strain effect on GaN/AlGaN quantum well laser diodes　M. Suzuki, T. Uenoyama　Proc. Int. Symp. on Blue Laser and Light Emitting Diodes (ISBLLED)　368-371頁　1996/03　査読有　原著論文　研究論文（プロシーディング）
  • Strain Effects on Optical Gain Properties of GaN/AlGaN Quantum Well Lasers　M. Suzuki, T. Uenoyama　Mat. Res. Soc. Proc.　421巻　171-182頁　1996/03　査読有　原著論文　研究論文（プロシーディング）
  • Biaxial Strain Effect on Wurtzite GaN/AlGaN Quantum Well Lasers　Masakatsu Suzuki, Takeshi Uenoyama 　Japanese Journal of Applied Physics　35巻　2S号　1420-1423頁　1996/02/01　査読有　原著論文　研究論文（学術雑誌）
  • Theoretical Study of Momentum Matrix Elements of GaN　Masakatsu Suzuki, Takeshi Uenoyama　Japanese Journal of Applied Physics　35巻　2R号　543-545頁　1996/02/01　査読有　原著論文　研究論文（学術雑誌）
  • Analysis of Wurtzite GaN/AlGaN Quantum Well Lasers from First-Principles Calculations　T. Uenoyama, M. Suzuki　Mat. Res. Soc. Proc.　395巻　171-182頁　1995/12　査読有　原著論文　研究論文（プロシーディング）
  • Optical properties of wurtzite GaN/AlGaN quantum wells　M. Suzuki, T. Uenoyama, S. Kamiyama　Inst. Phys. Conf. Ser. (Proc. 6th Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM95))　142巻　915-918頁　1996　査読有　原著論文　研究論文（プロシーディング）
  • First-Principles Calculation of Effective Mass Parameters of Gallium Nitride　Masakatsu Suzuki, Takeshi Uenoyama　Japanese Journal of Applied Physics　34巻　7R号　3442-3446頁　1995/07/01　査読有　原著論文　研究論文（学術雑誌）
  • First-principles calculations of effective-mass parameters of AlN and GaN　Masakatsu Suzuki, Takeshi Uenoyama, Akira Yanase　Physical Review B　52巻　11号　8132-8139頁　1995/09/15　査読有　原著論文　研究論文（学術雑誌）
  • Valence subband structures of wurtzite GaN/AlGaN quantum wells　Takeshi Uenoyama, Masakatsu Suzuki　Applied Physics Letters　67巻　17号　2527-2529頁　1995/10/23　査読有　原著論文　研究論文（学術雑誌）
  • Optical Gain of Wurtzite GaN/AlGaN Quantum Well Lasers　Takeshi UENOYAMA, Masakatsu SUZUKI, Satoshi KAMIYAMA　Extended Abstracts of the 1995 International Conference on Solid State Devices and Materials　689-691頁　1995/08　査読有　原著論文　研究論文（プロシーディング）
  • Optical gain analysis of wurtzite InGaN quantum-well lasers using k・p theory　S. Kamiyama, M. Suzuki, T. Uenoyama, Y. Ban　Proc. Topical Workshop on III-V Nitrides　205-208頁　1997/01　査読有　原著論文　研究論文（プロシーディング）
  • Compensation Mechanism of Free Hole Carriers in N-Doped ZnSe　Masakatsu Suzuki, Takeshi Uenoyama, Akira Yanase　Extended Abstracts of the 1993 International Conference on Solid State Devices and Materials　74-76頁　1993/09　査読有　原著論文　研究論文（プロシーディング）
  • Interaction between N2 and stabilized ZnSe surface　T. Uenoyama, T. Nakao, M. Suzuki　Journal of Crystal Growth　138巻　1-4号　301-304頁　1994/04　査読有　原著論文　研究論文（学術雑誌）
  • Theoretical Study on Hole Compensation Mechanism: - Stability of Two Nitrogen Atoms at SE Substitutional Site of ZnSe -　Taketoshi Nakao, Masakatsu Suzuki, Takeshi Uenoyama, Yusuke Funayose　Materials Science Forum　196-201巻　293-296頁　1995/11　査読有　原著論文　研究論文（学術雑誌）
  • Optical Gain Calculation of Wurtzite GaN/AlGaN Quantum Well Laser　Satoshi Kamiyama, Kiyoshi Ohnaka, Masakatsu Suzuki, Takeshi Uenoyama　Japanese Journal of Applied Physics　34巻　7A号　L821頁　1995/07/01　査読有　原著論文　研究論文（学術雑誌）
  • Electronic band structure in the ferrimagnetic state of Mn2Sb　M Suzuki, M Shirai, K Motizuki　Journal of Physics: Condensed Matter　4巻　1号　L33-L36頁　1992/01/06　査読有　原著論文　研究論文（学術雑誌）
  • Theoretical Study of Magnetic Ordering of Cu2Sb-type Intermetallic Compounds　Kazuko Motizuki, Masakatsu Suzuki, Masafumi Shirai　Japanese Journal of Applied Physics　32巻　S3号　221-226頁　1993/01/01　査読有　原著論文　研究論文（学術雑誌）

講演・口頭発表等

その他（報告書など）

  • 1.4um表面照射型積層導波路構造イメージセンサ: Smart FSI　渡辺 尚志, 平井 純, 勝野 元成, 立川 景士, 片岡 雅雄, 河岸 沙織, 久保 裕子, 矢野 尚, 鈴木 繁, 岡崎 玄, 山本 浩一, 藤中 洋, 藤岡 崇志, 鈴木 政勝　映像情報メディア学会技術報告, Vol.36 No.18 (2012) p.37-40　36巻　18号　37-40頁　2012/03　⑤機関テクニカルレポート，プレプリント等
  • Electronic band structure of Li2CuO2 and application to battery electrode　田中憲和, 鈴木政勝, 望月和子　岡山理科大学紀要. A, 自然科学　35号　51-54頁　2000/03/31　⑧総説・解説（大学・研究所紀要）
  • GaN系半導体レーザーの光学利得の第一原理からの解析　上野山 雄, 鈴木 政勝　応用物理　66巻　9号　956-959頁　1997/09　⑥総説・解説（学術雑誌）
  • ワイドギャップ半導体GaN/AlGaN量子井戸構造の光物性　上野山雄, 鈴木政勝　電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス 　96巻　445号　1-5頁　1997/01/17　⑤機関テクニカルレポート，プレプリント等
  • 励起窒素分子のZnSe系半導体表面での吸着・解離反応とp型ドーピングの機構　上野山雄, 中尾武寿, 鈴木 政勝　応用物理学会 応用電子物性分科会研究報告　451号　31-36頁　1993　⑤機関テクニカルレポート，プレプリント等

芸術・フィールドワーク

特許

共同研究希望テーマ

科研費

競争的資金・寄付金等

共同研究・受託研究実績

A-STEP採択課題

学域・学類担当授業科目

大学院担当授業科目

他大学の客員教授

教育活動（FD）に関する研究

国際事業協力

留学生参加の社会活動

審議会等の参加

講演可能なテーマ

その他公的社会活動

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