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研究者情報

データ更新日:2017年09月05日

佐々木 公洋 (ささき きみひろ) 教授 SASAKI Kimihiro

メール

所属組織・役職等

理工研究域 電子情報学系 回路素子

教育分野

【学士課程】
理工学域 電子情報学類 電気電子コース 回路素子工学
【大学院前期課程】
自然科学研究科 電子情報科学専攻
【大学院後期課程】
自然科学研究科 電子情報科学専攻

所属研究室等

回路素子研究室 FAX:076-234-4870

学歴

【出身大学院】
宮崎大学 修士課程 工学研究科 電気工学 1983/03 修了
【出身大学】
宮崎大学 工学部 電気工学 1981 卒業
【取得学位】
博士(工学)

職歴

金沢大学 工学部(1995/12/01-)
東京工業大学 大学院総合理工学研究科 助手(1983/05/01-1993/07/31)
成都工業学院 電子工程学院 客員教授(2017/05-)

生年月

1958年11月

所属学会

応用物理学会 シリコン材料デバイス研究会専門委員(2001-)
IEEE
電子情報通信学会 シリコン材料デバイス研究会専門委員(2001-)
日本熱電学会

学内委員会委員等

受賞学術賞

専門分野

電子デバイス・電子機器、薄膜・表面界面物性、応用物性・結晶工学

専門分野キーワード

電子デバイス、スパッタ、熱電現象

研究課題

固体電子デバイスの物理と作製技術

熱電材料・デバイス

スパッタリングプロセス

著書

  • シリコンヘテロデバイス 丸善 1991 原著書 共著
  • 基礎からの電磁気学 日新出版 2006/04 原著書 単著

論文

  • Selective Epitaxial Growth of Si Thin Films by ECR Plasma CVD Toshiaki Takada and Kimihiro Sasaki, Electronics and Communications in Japan, Part 2 83巻 8号 52-57頁 2000 査読無 原著論文
  • Si, Geのイオンビームスパッタ過程のモンテカルロシミュレーション 水谷道夫、佐々木公洋、畑朋延 電子情報通信学会和文論文誌 81-C-II巻 2号 245-250頁 1998/02 査読有 原著論文
  • イオンビームスパッタ法によるSiGe成長における水素導入効果 佐々木公洋、池田乙元、高橋幸大、畑朋延 電子情報通信学会技術研究報告 CPM-2001-108号 95-100頁 2001 査読有 原著論文
  • 金属/酸化物モードによるゲート絶縁膜用YSZ超薄膜の形成 佐々木健次、蓮達弘、佐々木公洋、畑朋延 電子情報通信学会技術研究報告 CPM2000-123号 39-44頁 2000 査読無 原著論文
  • 金属モードスパッタリングによるエピタキシャル高・強誘電体薄膜の作製 佐々木公洋,中野伸一,畑朋延 電子情報通信学会技術研究報告 ED97-214号 17-22頁 1998 査読無 原著論文

全て表示

  • Low Temperature Si Selective Epitaxial Growth by ECR Plasma CVD K.Sasaki and T.Takada Dig. of Papaers, Microprocess and Nanotechnology '97 138-139頁 1997/06 査読有 原著論文
  • Pb(Zr,Ti)O3薄膜成長における気相及びターゲットからの酸素導入の検討 金済徳、佐々木公洋、畑朋延 電子情報通信学会和文論文誌 J83-C巻 11号 1036 1042頁 2000/11 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • ECRプラズマCVDによるSiのSiO2ストライプパターンへの埋め込み成長 吉田行男、高橋幸大、佐々木公洋 電子情報通信学会技術研究報告 ED99-34号 53-58頁 1999 査読無 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • ECRプラズマCVDによるSi薄膜の低温エピタキシャル成長 高田俊明、佐々木公洋、畑朋延 電子情報通信学会技術研究報告 ED-97-33号 47-52頁 1997 査読無 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • ECRプラズマによるSi薄膜の選択エピタキシャル成長 高田俊明、佐々木 公洋 電子情報通信学会和文論文誌 82-C-II巻 4号 197-202頁 1999/04 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • ECRプラズマ堆積Si膜の低温エピタキシャル成長特性 吉田行男、高橋幸大、佐々木公洋 電子情報通信学会技術研究報告 CPM2000-127号 1-6頁 2000 査読無 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • IBS法によるSi基板上Geの成長過程とSi/Ge超格子構造 階森雅文、高橋幸大、鍋谷定孝、佐々木公洋、畑朋延 電子情報通信学会技術研究報告 CPM2000-118号 7-14頁 2000 査読無 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Pb(Zr,Ti)O3薄膜の低温・高速堆積用の固体酸素供給源による反応性スパッタ法の提案 川越進也、金済徳、吉田行男、佐々木公洋、畑朋延 真空 43巻 8号 785-789頁 2000/08 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Pb(Zr,Ti)O3薄膜成長における気相及びターゲットからの酸素導入の検討 金済徳、川越進也、佐々木公洋、畑朋延 電子情報通信学会技術研究報告 ED99-322号 19-24頁 2000 査読無 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • SiGeのIBSによるエピタキシャル成長 ?斜め入射スパッタ過程のシミュレーション 佐々木 公洋、水谷道夫、畑朋延 電子情報通信学会技術研究報告 CPM97-137号 137-142頁 1997 査読無 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Fundamental Properties of ECR Plasma CVD and Hydrogen Induced Low Temperature Si Epitaxy Kimihiro Sasaki Thin Solid Films 395/1-2巻 225-229頁 2001 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Epitaxial Growth of SiGe Thin Films by Ion Beam Sputtering K.Sasaki, K.Nakata and T.Hata Applied Surface Science 113/114巻 43-47頁 1997 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Epitaxial Growth Properties of Si and SiGe Films Prepared by Ion Beam Sputtering Process K.Sasaki, H.Nagai and T. Hata Vacuum 59巻 2-3号 397-402頁 2000 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Etching action by atomic hydrogen and low temperature silicon epitaxial growth on ECR plasma CVD K.Sasaki, H.Tomoda and T.Takada Vacuum 51巻 4号 537-541頁 1998 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Etching Effect by Hydrogen Plasma in ECR-CVD and Its Application to Low Temperature Si Selective Epitaxial Growth K.Sasaki and T.Takada Japanese Journal of Applied Physics 37巻 2号 402-407頁 1998/02 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Growth Dependence of Reactive Sputtered Yttria-Stabilixed Zirconia on Si(100), (110),(111) Substrates M.Nagashima, S.Nakano, K.Sasaki and T.Hata Japanese Journal of Applied Physics 38 Part2/1A巻 B号 L74-L77頁 1999/01 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Heteroepitaxial growth of SiGe films and heavy B doping by ion-beam sputtering Sasaki K., Nabetani Y., Miyashita H. and Hata T. Thin Solid Films 369巻 1-2号 171-174頁 2000 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Heteroepitaxial growth of YSZ films on Si(100) substrate by using new metallic mode of reactive sputtering T.Hata, S.Kawagoe, W.Zhang, K.Sasaki Vacuum 51巻 4号 583-590頁 1998 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • High-rate reactive deposition of indium oxide films on unheated substrate using ozone gas A.H.M.Zahirul Alam, P.K.Saha, T.Hata and K.Sasaki Thin Solid Films 352巻 133-137頁 1999 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Investigation of Ion Beam sputtering Process by Monte Carlo Simulation M.Mizutani, K.Sasaki and T.Hata Electronics and Communications in Japan,Part2 81巻 12号 41-47頁 1998 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • J.D.Kim, S.Kawagoe, K.Sasaki and T.Hata J.D.Kim, S.Kawagoe, K.Sasaki and T.Hata Japanese Journal of Applied Physics 38巻 12A号 6882-6886頁 1999/12 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Metallic Mode Growth of ZrO2-Based Thin Films for Gate Insulator Using Reactive Sputtering Technique K.Sasaki, T.Hasu, K.Sasaki and T.Hata 電子情報通信学会技術研究報告 ED2001-67, SDM-74号 93-97頁 2001 査読無 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Origin of oxygen in Pb(Zr,Ti)O3 films prepared by metal-oxide combined target K.Sasaki, W.X.Zhang and T. Hata Vacuum 51巻 4号 661-664頁 1998 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Preparetion of perovskite Pb(Zr,Ti)O3 thin films on YSZ(111)/Si(111) substrates by post-deposition annealing J-D.Kim S.Hana, S.Kawagoe, K.Sasaki and T.Hata Thin Solid Films 385巻 293-297頁 2001 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Properties of PZT Thin Films Prepared at Various Targets with Metallic Mode Reactive Sputtering J.D.Kim, S.kawagoe, K.Sasaki and T.Hata 電子情報通信学会技術研究報告 ED-124号 73 78頁 1999 査読無 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • roposal of new mixture target for PZT thin films by reactive sputtering T.Hata, S.Kawagoe, W.Zhang, K.Sasaki, Y.Yoshioka Vacuum 51巻 4号 665-671頁 1998 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Silicon Selective Growth on Partially Oxidized Substrate by ECR Plasma CVD Technique K.Sasaki, T.Takada and Y.Yoshida Vacuum 59巻 2-3号 672-677頁 2000 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Yttria-Stabilized Zirconia (YSZ) heteroepitaxially grown on Si substrates by reactive sputtering Tomonobu Hata, Kenji Sasaki, Yohko Ichikawab and Kimihiro Sasaki Vacuum 59巻 2-3号 381-389頁 2000 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Epitaxial Growth of Si by ECR Plasma Assisted Sputtering M.Kaimori, Y.Kano, K.Sasaki and T.Hata Proc. 25th International Conference of Phenomena in Ionized Gases (XXV ICPIG) 2巻 137-138頁 2001 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Concept of Reactive Sputtering Target for Pb(Zr,Ti)O3 Thin Films Je-Deok Kim, Sinya Kawagoe, Kimihiro Sasaki and Tomonobu Hata 日本学術振興会 第150委員会第66回研究会資料 29-32頁 1999 査読無 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Concept of Reactive Sputtering Target for Pb(Zr,Ti)O3 Thin Films Je-Deok Kim, Sinya Kawagoe, Kimihiro Sasaki and Tomonobu Hata 日本学術振興会 第150委員会第66回研究会資料 29-32頁 1999 査読無 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • ヘテロエピタキシャルYSZ/Si界面の酸化膜について 畑朋延、中野伸一、佐々木公洋 シリコンスクールin金沢講演予稿 22-25頁 2000 査読無 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Si Bipolar Transistors with Low Temperature Plasma Deposited Emitters K.Sasaki Proc.7th Intern. Symp. on IC Technology, System & Applications 10-13頁 1997/09 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Deposition of Epitaxial Yittria-Stabilized Zirconia (YSZ) on Si(100) and Simultaneous Growth of Amorphous SiO2 Interlayer T.Hata, Y.Masuda, S.Nakano, K.Sasaki, Y.Haneda and K.Wasa Extended Abstracts of Solid State Devices and Materials 40-41頁 1997/08 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Epitaxial Growth Properties of SiGe Films Prepared by Ion Beam Sputtering Process K,Sasaki, H.Nagai and T.Hata Proc. of 5th International Symposium of Sputtering and Plasma Processes 5-6頁 1999 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Etching Process in Low TemperatureEpitaxial Growth of Silicon by ECR Plasma CVD K.Sasaki and T.Takada Proc. of International Symposium of Sputtering and Plasma Processes '97 1997/06 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Fabrication of Silicon/Germanium Superlattice by Ion Beam Sputtering K.Sasaki, Y.Takahashi, T.Ikeda and T.Hata Proc. of 6th International Symposium of Sputtering and Plasma Processes 146-149頁 2001/06 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Heteroepitaxial Growth of SiGe Films and Heavily B Doping by Ion Beam Sputtering K.Sasaki, Y.Nabetani, H.Miyashita and T.Hata Program & Abstracts, International Joint Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (IJC-Si) PII-6頁 1999 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Heteroepitaxial Growth of YSZ Films on Si(100) Substrate by New Reactive Sputtering T.Hata, H.Okada, Y.Masuda, K.Sasaki K.Wasa and Y.Haneda 135-144頁 1997/06 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Hydrogen Induced Silicon Epitaxy Using ECR Plasma CVD Technique K.Sasaki, Y.Yoshida and T.Takada Extended Abstracts of the 1st Internationa Conference on Cat-CVD(Hot-Wire CVD) Process 193-196頁 2000/11 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Initial Growth Property of Ge on Si(100) Substrate by Ion-Beam Sputtering K.Sasaki and T.Hata Program and Abstracts of 1st International Workshop on New Group IV(Si-Ge-C) Semiconductors: Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opt-electronic Devices VI-12頁 2001/01 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Limited Reaction Growth of YSZ (ZrO2:Y2O3) Thin Films for Gate Insulator K.Sasaki, T.Hasu, K.Sasaki and T.Hata Proc. of 6th International Symposium of Sputtering and Plasma Processes 41-44頁 2001/06 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Mechanisms of heteroepitaxial grown Yttria Stabilized Zirconia (YSZ) on Si substrates by reactive sputtering T.Hata, K.Sasaki, Y.Ichikawa and K.Sasaki Proc. of 5th International Symposium of Sputtering and Plasma Processes 1-2頁 1999/06 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Metallic Mode Growth of ZrO2-Based Thin Films for Gate Insulator Using Reactive Sputtering Technique K.Sasaki and T.Hata 2001 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices 93-97頁 2001/07 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Origin of Oxigen in PZT Films Prepared by Metal-Oxide Combined Target K.Sasaki, W.Zhang, S.Kawagoe and T.Hata Proc. of International Symposium of Sputtering and Plasma Processes '97 607-612頁 1997/06 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Preparation and Properties of Pb(Zr,Ti)O3 Thin Films Deposited on Ir Electrode Using a Sputtering Apparatus J-D.Kim, K.Sasaki and T.Hata Proc. of 5th International Symposium of Sputtering and Plasma Processes 239-240頁 1999 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Preparation and Properties of Perovskite Pb(Zr, Ti)O3 Thin Films on YSZ(111)/Si(111) Substrates by Post-deposition Annealing J.D.Kim, S.Hana, K.Sasaki and T.Hata 第17回強誘電体応用会議予稿 45-46頁 2000/06 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Preparation of SiGe Epitaxial Films by Ion Beam Sputtering of Multi-Target K.Sasaki, H.Nagai and T.Hata Proc. of International Symposium of Sputtering and Plasma Processes '97 483-488頁 1997/06 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Properties of PZT Thin Films Prepared at Various Targets with Metallic Mode Reactive Sputtering J.D.Kim, S.kawagoe, K.Sasaki and T.Hata Proc. 1999 Int.Workshop on ADVANCED LSI's AND DEVICES 252-257頁 1999 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Propose of New Mixture Target for Low Temperature and High Rate Deposition of PZT Thin Films by Reactive Sputtering T.Hata, W.Zhang, S.Kawagoe and K.Sasaki Extended Abstracts of Solid State Devices and Materials 36-37頁 1997/08 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Propose of New Target for PZT Thin Films by Reactive Sputtering T.Hata, W.Zhang and K.Sasaki Proc. of International Symposium of Sputtering and Plasma Processes '97 617-622頁 1997/06 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Prparation of SiGe Epitaxial Films and Heavily Boron Doping by Ion Beam Sputterirng H.Miyashita, Y.Nabetani, K.Sasaki and T.Hata Proc. of 2nd Magnetro-Electronics International Symposium 117 120頁 1999 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Reactive Growth of YSZ (ZrO2:Y2O3) Thin Films with Unpoisoned Sputtering Target K. Sasaki and T. Hata, Abs. of Joint Workshop of 29th IUVSAT International Workshop on Selective and Functional Film Deposition Technologies as Applied to ULSI Technology and 2nd International Workshop on Development of Thin Films for Future ULSI's and Nano-Scale Process Integr 59-62頁 2000/11 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Silicon Epitaxial Growth by ECR Plasma Assisted RF Sputtering M.Kaimori, K.Sasaki and T.Hata Proc. of 6th International Symposium of Sputtering and Plasma Processes 265-268頁 2001/06 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Silicon selective Epitaxial Growth on Partially Oxidized Substrate by ECR Plasma CVD Technique K.Sasaki, T.Takada and Y.Yoshida Proc. of 5th International Symposium of Sputtering and Plasma Processes 99-100頁 1999 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Surface and Interface of Heteroepitally Grown Yttoria-Stabilized Zircona (YSZ) on (100), (110), (111) Si Substrates by Reactive Sputtering T.Hata K.Sasaki, Y.Ichikawa, M.Nagashima and K.sasaki, Program & Abstracts, International Joint Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (IJC-Si) PI-29頁 1999 査読有 原著論文 研究論文(プロシーディング)
  • Siバッファー層とSiO2基板を用いて作製したSi/GeB積層の結晶性と熱電特性 48巻 2009 査読有 原著論文 研究論文(学術雑誌)
  • Improved dielectric properties of tetragonal ZrO2 gate dielectric fabricated by ozone-assisted sputtering 48頁 2009 査読有 原著論文

講演・口頭発表等

  • 応用物理学会 日本熱電学会 電子情報通信学会研究会(2008)

芸術・フィールドワーク

特許

共同研究希望テーマ

○固体電子デバイスの物理と作製技術
○熱電材料・デバイス
○スパッタリングプロセス

科研費

○基盤研究(C)「新しいスパッタ堆積モードによる強誘電体(PZT)薄膜の低温形成とその機構解明」(1997-) 代表者
○基盤研究(C)「制限反応スパッタ製膜法による高誘電率YSZ絶縁膜の研究」(2001-) 代表者
○基盤研究(B)「超高濃度ホウ素ドープSiGeによる巨大熱起電力の発現とその応用」(2003-) 代表者
○基盤研究(B)「結晶/非晶質混合相シリコン系材料による巨大熱電源象の実証とその応用」(2006-) 代表者

学域・学類担当授業科目

大学院担当授業科目

○電子デバイス工学特論(2017)
○固体デバイス論(2017)
○固体デバイス論(2017)
○固体デバイス論(2017)
○固体デバイス論(2017)
○電子デバイス工学特論(2016)
○固体デバイス論(2016)
○電子デバイス工学特論(2015)
○固体デバイス論(2015)
○固体デバイス論(2014)
○固体デバイス論(2014)
○固体デバイス微細加工技術(2014)
○電子デバイス工学特論(2014)

他大学の客員教授

○成都工業学院

教育活動(FD)に関する研究

国際事業協力

留学生参加の社会活動

審議会等の参加

講演可能なテーマ

その他公的社会活動

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